وكالات – أعلن فريق من معهد العلوم الصناعية بجامعة طوكيو عن ابتكار ترانزستور جديد بالكامل لا يعتمد على السيليكون، الذي يعد المادة الأساسية في الإلكترونيات منذ اختراع الترانزستور في منتصف القرن الماضي. يأتي هذا الاكتشاف كخطوة مهمة لتجاوز التحديات التي تواجه صناعة الإلكترونيات، خاصة عند تقليص الحجم إلى مستويات نانوية.
الترانزستور هو عنصر إلكتروني أساسي يتحكم في تدفق التيار الكهربائي، وقد تم تصميمه بتقنية “ترسيب الطبقة الذرية” باستخدام أكسيد الإنديوم المطعّم بالغاليوم (InGaOx). يتميز هذا الترانزستور ببنية بلورية منظمة تعزز حركة الإلكترونات، وهو مصمم بهيكل “بوابة محيطة” لتحسين الكفاءة. أظهر الأداء التجريبي لهذا الابتكار معدلات حركة إلكترونية مرتفعة بلغت 44.5 سنتيمتر مربع لكل فولت-ثانية، واستقراراً ملحوظاً تحت ضغط كهربائي مستمر.
وتم توضيح أن الترانزستور الجديد، رغم عدم توفره في الأسواق التجارية بعد، يمثل خطوة نحو تطوير شرائح إلكترونية أكثر كفاءة، وقد يكون له تأثير إيجابي في التطبيقات المتقدمة مثل الذكاء الاصطناعي ومعالجة البيانات الضخمة، ويعكس حاجتنا للتخلص من الاعتماد على السيليكون.
جميع الأخبار المنشورة في موقع مانكيش نت لا تمثل ولأتعبر عن راي إدارة الموقع .
ننشر الأخبار من مصادر مختلفة اليا فقد يجد القارئ محتوى غير لائق للنشر الإلكتروني وحرصا من إدارة موقع مانكيش نت يمكنكم الاتصال بنا مباشرة عبر الضغط على اتصل بنا سنقوم مباشرة بمراجعة المحتوى و حذفه نهائيا إضافة الى مراجعة مصدر الخبر الذي قد يتعرض للإلغاء من قائمة المصادر نهائيا
